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Micronは2018年下半期に96層NANDと1Y nm DRAMを予定している

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Micronは2018年下半期に96層NANDと1Y nm DRAMを予定している

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22-06-2018, 07:45 AM

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Micronは2018年下半期に96層NANDと1Y nm DRAMを予定している

Micron Ready With 96-Layer Flash & 1Y nm DRAM in 2H 2018（techPowerUp!）

決算報告においてMicronは2018年下半期に予定されている96層3D NAND Flashの大量生産は順調であると説明した。現在、多くのSSDでは32層NANDが用いられており、Crucial MX500などのいくつかの製品で64層NANDが用いられている。96層NAND Flashは3D NANDの第3世代となり、チップあたりの容量を増加させられるとともに、より小さく、より電力効率を高めることができる。

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